Samsung 三星 850 EVO可以说是起840 WVO的新版,依旧是主打性价比,它采用架构更为先进的3bit 3D V-NAND闪存,它的单位存储密度、P/E耐久度较之840 EVO的2D平面闪存有质的提升。采用标准SATA3接口,使用了512M DDR3缓存以及三星自家MGX主控,3D V-NAND TLC颗粒,读取速度540MB/s,写入520MB/s,最大IOPS97000,和750 EVO系列相比,没有阉割颗粒性能,提供长达5年的保修时间。
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