三星V4bit MLC技术,QLC固态硬盘,550MB/s和520MB/s的读取和写入。SAMSUNG(三星)在2018年底推出的QLC闪存架构的三星860 QVO固态硬盘,860 QVO基于三星V-NAND 4bit MLC,也就是3D QLC,是一种4bit 多层单元NAND闪存架构,力求以更低价格提供更大容量。全新的860 QVO SSD使用常用的SATA 6Gbps接口和2.5英寸外形,三星最新的MJX控制器集成了Intelligent TurboWrite技术,并根据容量不同具备42GB起步的SLC Cache。
860 QVO具有550MB/s和520MB/s的顺序读取和写入速度。随机读取97000 IOPS、随机写入89000 IOPS。不过需要看到的是写入速度基于SLC Cache,质保时间和总写入量对比其他闪存版本也有了降低,4TB版本质保为3年或1440TBW。
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