配置NMVe M.2协议接口,支持PCIe3.0技术,顺序读取速度高达3500MB/s,写入速度高达3000MB/s,对比SATA SDD提升6.2倍。散热采用镶镍涂层以提高控制器的散热效率,同时使用散热标签实现对AND芯片的有效散热控制,内嵌三星前沿的热控制算法,可自行管控发热,提供持久而可靠的性能,可提供600 TBW或5年期限的质保。
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