采用第二代Micron 3D NAND技术,选用64层堆叠3D TLC颗粒,通过CMOS Under the Array/CUA架构将空间尽可能压缩,让单颗粒容量更大。可提供560MB/s读取和510MB/s写入,4K随机读写分别为95K IOPS和 90K IOPS,它还拥有高级功能与防护,包括动态写入加速、 AES 256位硬件加密、断电数据保护、数据防御、独立 NAND 纠错阵列、过热保护等。
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