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采用TLC 3D NAND颗粒,配合Max.Write技术,智能定义用户工作负荷并分配模拟SLC缓冲区,模拟缓冲区容量高达220GB,读取速度为3400MB/S,写入速度为3000MB/S,在传输大文件或使用图形密集型应用程序时,大幅度改善用户体验。
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