GaN核心升级,相比上一代在性能和速度方面更加迅猛,更小核心器件、更高效率 更好控温,充电体验全面进阶。精巧紧凑元器件与架构堆叠优化升级, 机身长度低至61mm,体积、重量再突破。相比第三代机身更短,重心设计更符合 力学原理,墙插平衡性、稳固性大幅提升, 有效防止掉落。采用新一代全包裹多面散热技术搭配倍思自研BCT控温技术,安全、低温守护充电全程。
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