氮化镓(GaN, Gallium Nitride)是第三代新式半导体器件,具备高抗压、高频、效率高、耐热、有机化学特性平稳等特点,使充电头体型小、重量较轻,电池充电输出功率变换同期相比一般充电头高些。选用集成ic集成化氮化镓MOS管、性能卓越变电器、电容器等部件能耗等级转换率高、耗损小、电池充电不容易发热。根据PI GAN技术性,仅重173g,交通出行不负累。兼容PD/SCP/FCP/QC/PPS/AFC/ APPLE9V2.4aBC1.2等协议书。适用4台机器设备另外快速充电。
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